6月10日的Home报道说，韩国媒体昨天报道说，由于与以前的产品相比，HBM4内存中的I/O数量增加了一倍，SK Hynix和Micron（在HBM4 DRAM中使用1B技术）需要扩大DRAM模具的领域，从而减少了HBM DRAM的数量，可以在单一循环中进行。但是，对于三星电子产品，由于其HBM4存储器的DRAM死亡将从上一代1A NM升级到1C NM，因此希望单晶片DRAM DIH生产仍会增加。但是考虑到该过程的复杂性的变化，三星的HBM4也将增加其实际成本。行业新闻预测，最初的HBM4内存规格的市场价格为12HI 36GB，超过600美元（主张：当前汇率约为4,311元），这是相同HBM3E的大量溢价的Bumu BumuWhole。 
